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產(chǎn)品展示

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99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標(biāo)　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術(shù)等級
氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標(biāo)　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術(shù)等級
99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標(biāo)　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%。　　4、技術(shù)等級
99.6%氧化鋁陶瓷基板
99.6%氧化鋁陶瓷基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標(biāo)　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%。　　4、技術(shù)等級
氮化鋁生瓷帶
氮化鋁生瓷帶
氧化鋁白瓷
氧化鋁白瓷
氧化鋁黑瓷
氧化鋁黑瓷
氮化鋁基板
氮化鋁基板
◎薄膜電路用陶瓷基片　　1、物性指標(biāo)　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?！　?、技術(shù)等級
企業(yè)介紹
企業(yè)介紹

Growth process

發(fā)展歷程

  • 2019年5月成立，注冊資金3369萬元
  • 2020年1月14日，裝修完成
  • 2020年6月，投產(chǎn)

 

回顧征程，開啟新篇

回顧征程，開啟新篇

新聞中心 發(fā)布時(shí)間 : 2024-12-23 10:45:34
社會責(zé)任

技術(shù)支持

08-20

高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
08-20

單層芯片電容的制備方法

單層芯片電容被廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)和衛(wèi)星通訊等方面，具有量大面廣的特點(diǎn)。
08-05

?輸入電壓檢測安全保護(hù)功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW

采用BiCDMOS高耐壓工藝，在內(nèi)置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高的80V耐壓等級，從而可以使安全工作范圍更寬。　　與同等輸出電流的普通產(chǎn)品相比，耐壓成功地提高了約20%，不僅在5G通信基站和服務(wù)器等的48V主電源系統(tǒng)中，而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統(tǒng)中，都擁有足夠的余量應(yīng)對突發(fā)性的浪涌電壓，因此有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的

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發(fā)布時(shí)間：2020-12-07 18:30:37

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